Nexstrom levanta 12 millones para fabricar semiconductores 2D sobre obleas de 300 mm
La startup singapurense, incubada por Xora Innovation, dice que su equipo North Star crece materiales 2D directamente sobre obleas de 300 mm y quiere venderlo a las grandes fundiciones.
Nexstrom, una startup de semiconductores con sede en Singapur, ha levantado 12 millones de dólares en una ronda semilla para construir equipos y procesos que permitan a las fundiciones fabricar chips con materiales bidimensionales directamente sobre obleas de 300 mm. En la ronda entran Xora Innovation —la incubadora de la que salió la empresa—, Foothill Ventures y SEEDS, y eleva el total captado a 15 millones. La compañía no quiere competir con TSMC, Samsung o Intel: quiere venderles la tecnología o trabajar con ellos como socios.
Materiales de unas pocas capas atómicas
El punto de partida es un problema viejo. Encoger el transistor de silicio mejora la velocidad, pero controlar el flujo de electrones se vuelve más difícil y aparecen corrientes de fuga, pérdida de potencia y calor. Los materiales 2D —los dicalcogenuros de metales de transición, TMD— miden unas pocas capas atómicas de grosor y permiten seguir reduciendo tamaño sin esos efectos. No son literalmente bidimensionales; el nombre describe lo delgados que son.
El producto de Nexstrom se llama North Star y está diseñado para crecer TMD directamente sobre obleas de 300 mm (12 pulgadas), el formato que usan las fábricas comerciales. La tecnología parte en buena medida del trabajo de Lance Li, cofundador y científico jefe, que dirigió investigación en electrónica post-silicio en TSMC y trabaja con materiales 2D desde 2012. "En el laboratorio se consiguen materiales muy pequeños y de mucha calidad, pero solo a escalas muy pequeñas. Ese es exactamente el hueco que cubre Nexstrom", ha dicho Li.
No es el único que ve el filón. TSMC, Intel e IMEC desarrollan formas de integrar materiales 2D en transistores, y proveedores de equipos y materiales como AIXTRON y CDimension atacan otras partes de la cadena. TSMC, ASML e IMEC ya enseñaron cómo integrar transistores de material 2D en un proceso de 300 mm. La apuesta de Nexstrom es otra: producir el material a escala de oblea completa.
De 2 a 12 pulgadas
El reto es la uniformidad. Crecer TMD de forma consistente en toda una oblea grande es lo que separa una demo de laboratorio de una línea de producción. La consejera delegada, Phoebe Tan, sostiene que ya tienen resultados de material sobre obleas con el sistema de 12 pulgadas recién instalado, y describe el escalado como un proceso por etapas: de 2 a 6 pulgadas, y las de 8 y 12 pulgadas completas a finales de octubre.
La empresa asegura que algunas compañías del sector ya prueban muestras de sus obleas y materiales, aunque no da nombres. El dinero de la ronda irá a desarrollo, control de proceso y metrología, ampliación de plantilla y programas de cualificación con clientes potenciales.
El plazo que maneja Nexstrom para tener el equipo listo para producción comercial es amplio: entre 2030 y 2035, según la propia compañía. Es un horizonte largo incluso para los tiempos de esta industria, y depende de que la uniformidad sobre oblea completa deje de ser un problema de laboratorio. Si sale adelante, las fundiciones tendrían una vía más para seguir apretando el transistor cuando el silicio se quede sin margen.
