Intel supera el millón de obleas procesadas con High-NA EUV
La compañía alcanza el hito en menos de dos años y medio, superando el volumen del resto de usuarios de esta tecnología juntos. La litografía ya se usa en la producción de sus procesadores Panther Lake.
Intel ha anunciado que su tecnología de litografía High-NA EUV ha superado el millón de obleas de 300 mm procesadas. El hito se ha alcanzado en menos de dos años y medio desde que la compañía ensambló su primera máquina de este tipo, y supone más volumen que el acumulado por el resto de fabricantes que usan esta técnica.
La compañía dispone actualmente de dos prototipos ASML Twinscan EXE:5000 y al menos una unidad de producción EXE:5200B. En febrero de 2025, Intel había procesado unas 30.000 obleas con estos sistemas; para septiembre de 2026, la cifra supera el millón. ASML, por su parte, informó en su balance del primer trimestre de 2026 que todas las máquinas High-NA EUV instaladas en el mundo habían procesado más de medio millón de obleas, con una disponibilidad media superior al 80%. Así, la aportación de Intel es mayor que la del resto de usuarios juntos.
La litografía High-NA EUV ya está validada en el proceso Intel 18A y se está utilizando para fabricar los procesadores Panther Lake, incluidos en la serie Core Ultra. En julio de 2026, ASML confirmó que Intel era el primer fabricante que lograba envíos a gran escala de circuitos integrados lógicos producidos con High-NA EUV, y que algunas capas del proceso 18A han obtenido la doble certificación para esta tecnología, con rendimientos equiparables a los de la litografía EUV estándar (NXE).
No obstante, High-NA EUV sigue teniendo una limitación importante: el tamaño de las máscaras. Actualmente se emplean máscaras de 6×6 pulgadas, que no permiten exponer un campo completo de 26×33 mm en una sola exposición sin necesidad de recurrir a métodos de unión de campos. Para superar ese escollo, Intel está impulsando un cambio hacia máscaras más grandes, de 6×12 pulgadas. Ese cambio implicaría modificar todo el ecosistema de fabricación de fotomáscaras, incluyendo sustratos, deposición, grabado, inspección, metrología, limpieza, películas protectoras, escritura y procesado. Además, los propios equipos High-NA EUV tendrían que rediseñarse o adaptarse al nuevo formato.
De momento, ni ASML ni Intel han confirmado si los equipos existentes o en desarrollo podrían ser modificados para soportar máscaras de 6×12 pulgadas. Según la hoja de ruta de ASML, los sistemas que lleguen a partir de 2033 aproximadamente seguirán basándose en máscaras de 6×6 pulgadas y técnicas de empalme.
