Samsung reserva la mitad de su capacidad 4 nm para HBM4 bare‑chip
El Foundry de Samsung apunta a usar SF4, su línea 4 nm, para fabricar los bare‑chip de HBM4, lo que podría impulsar su cuota en el mercado de memoria de alta velocidad.
Samsung Foundry, la unidad de fabricación de semiconductores de la compañía, ha anunciado que dedicará cerca de la mitad de su capacidad de 4 nm a la producción de bare‑chips para HBM4. La línea interna se conoce como SF4 y opera en los parques P2 y P3 de Hwaseong.
Los clientes de HBM4 y el próximo HBM4E ya exigen que los bare‑chips incluyan lógica personalizada, como controladores de memoria y PHY, para reducir el área que ocupa en los chiplets de procesamiento. Al integrar estos bloques directamente en la base, se consigue un ahorro significativo de superficie y potencia.
La demanda de bare‑chips de HBM4 está creciendo, especialmente entre los ASIC que buscan maximizar el rendimiento. Samsung ha ido ganando terreno frente a SK Hynix: en el segundo trimestre de 2026 su cuota de ingresos en el mercado HBM alcanzó el 38 %, frente al 15 % del año anterior, mientras que la de SK Hynix cayó del 64 % al 50 %.
Si el Foundry mantiene su ritmo y expande la producción de bare‑chips, la compañía espera seguir incrementando su participación en los ingresos por HBM en los próximos trimestres.
