Kioxia muestra dispositivo CXL basado en NAND XL1 de 512 GB
El fabricante presentó una unidad de expansión de memoria CXL 2.0 que usa NAND XL‑FLASH Gen 2, ofreciendo mayor endurance y latencias menores que TLC/QLC.
Kioxia reveló en el FMS 2026 su nuevo dispositivo de expansión de memoria CXL, el XL1 E3.S SSD. Se trata de una unidad de 512 GB que utiliza la interfaz CXL 2.0 Tipo 3 y un factor de forma E3.S, equivalente a una conexión EDSFF pero con CXL en lugar de PCIe. La solución está pensada para servidores que necesiten ampliar capacidad de memoria sin incurrir en el elevado coste por gigabyte de la DRAM.
El XL1 se basa en la tecnología XL‑FLASH Generation 2, una variante de NAND que combina la densidad de los chips tradicionales con una mayor resistencia a escrituras y una latencia más baja que las NAND TLC o QLC. En la demostración del stand, la unidad alcanzó una tasa de transferencia de poco menos de 1 GB/s y una latencia de 755 ns. En pruebas de carga completa con bloques de 512 B, el dispositivo reportó cerca de 2 millones de IOPS, lo que muestra que, aunque no rivaliza con una solución basada en DRAM, puede ser suficiente para datos menos críticos.
Para los arquitectos de sistemas, el XL1 ofrece la posibilidad de mezclar dispositivos NVMe tradicionales y expansores CXL en la misma plataforma, aprovechando la flexibilidad de la especificación CXL para asignar regiones de memoria según su temperatura de acceso. El modelo sigue la idea ya explorada por Intel con Optane, donde la memoria más lenta sirve para datos fríos y la DRAM para los hot spots. Kioxia apuesta a que la combinación de DRAM y NAND XL‑FLASH permita reducir costos sin sacrificar el rendimiento necesario para workloads mixtos.
Queda por ver cómo se integrará este tipo de dispositivos en los stacks de gestión de memoria de los principales sistemas operativos y hipervisores, y si los controladores de CXL podrán exponer de forma transparente la jerarquía híbrida. La adopción dependerá también de la disponibilidad de firmware y de la compatibilidad con plataformas que ya soportan CXL 2.0.
En definitiva, el XL1 abre una vía intermedia entre la DRAM costosa y el almacenamiento tradicional, ofreciendo una opción de expansión de memoria basada en NAND con endurance y latencia mejoradas, lo que puede resultar atractivo para centros de datos que buscan equilibrar coste y capacidad.
