CXMT estudia fabricar 3D NAND en su segunda fábrica de Pekín, según Reuters
El mayor fabricante chino de DRAM planea una línea de I+D de memoria NAND flash, aunque la fábrica que la albergaría ni ha empezado a construirse.
CXMT, el mayor fabricante chino de memoria DRAM, está mirando hacia el negocio del 3D NAND. Reuters asegura, citando a tres personas al tanto de los planes, que la compañía quiere montar una línea de producción experimental de NAND flash en su segunda fábrica, situada cerca de Pekín. CXMT no ha confirmado nada.
Una línea que todavía no tiene suelo
El calendario, tal y como lo cuenta Reuters, es de largo plazo. La segunda fábrica de CXMT en Pekín ni siquiera ha empezado las obras, así que esa línea de I+D no puede estar operativa antes de dos o tres años. El medio no da fecha concreta porque no la tiene.
A eso se suma otro dato de la misma información: la empresa ha creado un instituto de investigación en Pekín que tiene el desarrollo de NAND flash entre sus proyectos, según una de las fuentes. Hay movimiento en I+D, pero nada que se pueda llamar producto ni proceso listo para volumen.
De DRAM a NAND
CXMT se ha ganado su posición en DRAM, donde es el referente chino y donde compite con los grandes fabricantes de memoria. El 3D NAND es otro juego: exige apilar capas de células, dominar un proceso distinto y pelear cuota con Samsung y con la también china YMTC, que ya fabrica NAND en volumen. El encuadre que da Reuters al movimiento lo sitúa en plena escasez global de memoria, ese mismo desajuste que lleva meses tensando los precios de DRAM y de NAND.
Para quien administra infraestructura, la pregunta es si esto mueve algo a corto plazo. No lo mueve. La capacidad de memoria no se improvisa: una línea experimental en una fábrica que aún no existe no cambia el suministro de SSD ni de módulos, y menos en un mercado donde los ciclos de construcción se miden en años. Si sale adelante, el efecto se notará al final de la década, no en la próxima renovación de servidores.
Queda por ver si CXMT confirma el proyecto. De momento es un rumor de un solo medio, con tres fuentes anónimas detrás y sin una sola demo, cifra de inversión o fecha encima de la mesa. El propio reporte de Reuters es explícito en que no hay información sobre cuándo arrancaría la línea. Un fabricante que domina DRAM y entra en NAND cambiaría el reparto del mercado de memoria, pero eso hoy es una intención, no un plan con presupuesto.
