SK Hynix situará su nodo 1c nm como principal proceso DRAM a principios de 2027
El fabricante surcoreano prepara la producción masiva de esta tecnología de 10 nm para servir a la próxima generación de memoria HBM4E.
SK Hynix ha definido su hoja de ruta para la próxima generación de memoria y apuesta por el nodo de litografía 1c nm para que se convierta en su proceso de fabricación principal antes de que finalice el primer trimestre de 2027. El fabricante surcoreano, que actualmente domina el mercado de memoria de alto ancho de banda (HBM), está acelerando la migración desde su generación actual, el nodo 1b nm, para mantener el ritmo de la demanda que imponen los nuevos chips de inteligencia artificial.
Según reporta la prensa local surcoreana, la compañía ha trazado un calendario de producción agresivo para alcanzar ese objetivo. La cuota del 1c nm dentro de la capacidad total de fabricación de DRAM de SK Hynix ha ido creciendo paso a paso. Desde el primer trimestre de 2026 hasta el mismo periodo del año siguiente, la inversión en este nuevo nodo ha saltado del 10% al 13%, luego al 24% y ha tocado el 34% en el cuarto trimestre de 2026. Se espera que cierre el periodo en el 35%, desplazando al 1b nm, que bajará hasta situarse en el 33%.
Esta transición no es solo un ejercicio de capacidad instalada, sino una necesidad técnica para el producto estrella del sector. SK Hynix utiliza el nodo 1b nm para fabricar los dies de memoria de su actual generación HBM4. Sin embargo, la siguiente iteración, conocida como HBM4E, exigirá la precisión y eficiencia del proceso 1c nm. Contar con esa capacidad ya escalada permite que el cambio de chip en las cadenas de suministro de los grandes proveedores de aceleradores gráficos y de servidores ocurra sin interrupciones ni cuellos de botella.
La competencia también avanza
SK Hynix no es la única empresa ajustando su línea de producción para esta sexta generación de memoria de 10 nm. Sus rivales directos ya han comenzado a mover sus fichas. Samsung Electronics registra una participación de su nueva tecnología de fabricación en torno al 16%, mientras que Micron Technologies se sitúa ligeramente por encima, con un 19% de su capacidad dedicada a estos procesos avanzados. Ambas cifras corresponden a finales del segundo trimestre de 2026.
El margen por el que SK Hynix pretende imponerse se basa en la velocidad con la que está escalando la producción de su nodo más fino. A diferencia de sus competidores, que están iniciando su despliegue, el fabricante ha marcado una curva de adopción que dobla su presencia en el último trimestre del año. Esta estrategia responde a la visión de que la demanda de memoria de alto rendimiento no solo no bajará, sino que aumentará su exigencia en densidad y consumo energético.
El cambio de nodo implica riesgos técnicos significativos. La migración a 1c nm requiere revalidar los estragos térmicos y eléctricos de los stacks de memoria apilados verticalmente. Si los rendimientos de fabricación caen durante la transición, podrían aparecer retrasos en la entrega de HBM4E. No obstante, la planificación detallada sugiere que SK Hynix confía en que la madurez del proceso 1b nm ha sentado las bases para que el salto a la siguiente iteración sea suave. Para los arquitectos de sistemas que dependen de esta memoria, la estabilidad del suministro en 2027 será determinante para el despliegue de datacenters escalados.
La carrera por la memoria de alto ancho de banda define actualmente el cuello de botella de la infraestructura de inteligencia artificial. Quien controle la fabricación a escala, controla el ritmo de innovación del hardware que alimenta los modelos grandes. SK Hynix intenta blindar su posición con esta ventaja en capacidad instalada, pero la fiabilidad del producto final en producción masiva validará si la estrategia ha funcionado.
