Samsung duplicará la producción de HBM4 y HBM4E el próximo año
La compañía apunta a más del doble de salida de sus chips HBM4 y HBM4E, impulsada por un aumento 2,5 veces en la demanda de portadores de vidrio.
Samsung Electronics planea más del doble de producción de sus memorias de alta banda ancha HBM4 y HBM4E para 2027. La estimación se basa en un incremento 2,5 veces de la demanda de portadores de vidrio, el material que sostiene las obleas mientras se adelgazan.
Los portadores de vidrio pasarán de 20.000 láminas mensuales este año a 50.000 la próxima. Según analistas, aunque los portadores se reutilizan tras la limpieza, esa subida implica que la salida total de HBM4 y HBM4E crecerá al menos dos veces respecto a 2026.
Samsung empezó a enviar en serie HBM4 en febrero, usando DRAM de sexta generación (1c) de 10 nm y un die base de 4 nm. En mayo entregó muestras de HBM4E de 12 capas a clientes como Nvidia. La producción total de HBM debería subir casi un 40 %: de unas 180.000 obleas mensuales este año a cerca de 250.000 el próximo.
El mix de productos cambiará drásticamente. Se espera que la cuota de la familia HBM4 pase del 40 % al 80 % del total, reflejando la ramp‑up de HBM4E. El aumento de capas (12 y más) y la mayor densidad hacen que el control de deformación y el proceso de pulido sean críticos, lo que explica la necesidad de más portadores de vidrio.
"Al ampliar la producción de HBM, Samsung sitúa a HBM4, un producto de alto valor, en el centro de su estrategia", comentó un oficial de la industria.
Para los diseñadores de sistemas que dependen de ancho de banda extremo, el doble de disponibilidad podría aliviar cuellos de botella en GPUs y aceleradores de IA que ya están adoptando HBM4E. Sin embargo, la mayor escala también implica que los proveedores de equipos de fabricación y los servicios de limpieza de portadores deberán adaptarse a volúmenes significativamente mayores.
Discusión en Hacker News ofrece más detalles y comentarios de analistas.
En resumen, la apuesta de Samsung por duplicar la producción de HBM4 y HBM4E responde a la creciente demanda de soluciones de memoria de alta densidad en centros de datos y plataformas de IA. El éxito dependerá de la capacidad de la cadena de suministro para manejar el aumento de portadores de vidrio y de la eficiencia de los procesos de afinado de obleas.
