La subida de precio del iPhone destapa una crisis estructural de la memoria
Los próximos iPhone costarán más, pero no es un problema solo de Apple: la escasez de DRAM, NAND y HBM ha puesto patas arriba el mercado de la memoria y no se arreglará pronto.
Cuando Apple presente la próxima generación de iPhone, el precio subirá por la memoria. La escasez de chips de memoria se ha convertido en el principal factor de encarecimiento de cualquier hardware, desde móviles hasta servidores, y los grandes fabricantes no esperan una solución rápida. La tecnología de proceso ya no permite producir más chips por oblea; hace falta levantar instalaciones nuevas, y eso se mide en años.
“Necesitamos construir más capacidad de obleas”, dijo Manish Bhatia, presidente y director de operaciones de Micron. Esa reflexión llega después de que la propia Micron detectara en 2021 que los avances tecnológicos dejarían de ser suficientes para acompañar la demanda a largo plazo. El colapso posterior del mercado de consumo, con exceso de inventario tras la pandemia, frenó las inversiones en nuevas plantas. Cuando la demanda volvió, la IA generativa apareció con un apetito de memoria que nadie había previsto.
El mercado de memoria es un oligopolio de tres actores: Samsung, SK Hynix y Micron controlan alrededor del 90%, según Counterpoint. En el segundo trimestre de 2026, Samsung tenía el 39%, SK Hynix el 26% y Micron el 25%. Esa concentración permite decidir quién recibe la capacidad limitada. Y los centros de datos de IA se están llevando la mejor parte, en forma de memoria de alto ancho de banda (HBM), que no es la misma RAM que usa un móvil o un servidor convencional.
HBM apila varias capas de memoria sobre una base y exige más silicio: Micron calcula que producir una cantidad determinada de HBM requiere tres veces más obleas que la misma cantidad de DRAM convencional. Como los clientes de IA están dispuestos a firmar compromisos plurianuales, los fabricantes prefieren asegurar esos contratos antes que especular con el mercado de consumo. Samsung lo dice sin rodeos: da prioridad a los clientes que garantizan demanda comprometida.
Más allá de HBM
El impacto no se limita a los aceleradores de IA. La IA que se ejecuta en los propios dispositivos exige más DRAM convencional y de mayor rendimiento, con lo que la demanda crece en ambos frentes. SK Hynix habla de un cambio estructural y presume de un margen operativo del 76%, un récord que deja claro dónde están los incentivos del mercado.
A quien mantiene infraestructura TI le importa directamente: el sobrecoste de DRAM y NAND afecta a la compra de servidores, almacenamiento y portátiles de desarrollo, y las decisiones de arquitectura de este año tendrán que asumir un presupuesto de memoria más alto. Micron ya ha echado los cimientos de su fábrica de Nueva York, pero esa instalación no producirá a gran escala hasta finales de la década. No hay escasez instantánea; hay una reasignación estructural que solo se corregirá con tiempo.
