Changxin Technology lanza la quinta generación de plataforma de memoria y entrega 24GB LPDDR5X a producción
La compañía ha revelado que su nuevo proceso de 11,95 nm aumenta la producción por wafer en más del 50 % y que los módulos de 24 GB LPDDR5X ya están disponibles para los smartphones de gama alta chinos.
Changxin Technology anunció en la Conferencia Mundial de Manufactura de 2026 que su quinta generación de plataforma de memoria entra en producción a gran escala. El nuevo proceso reduce el espacio activo a 11,95 nm, aumenta la relación profundidad‑ancho de los condensadores a 45:1 y baja la altura de la zona de potencia a 6 762 nm.\n\nCon estos cambios, la densidad de almacenamiento se dispara. Según el comunicado, la producción por wafer se incrementa en más del 50 % respecto a la generación anterior.\n\nEl resultado es un módulo LPDDR5X de 24 GB que ya se fabrica en serie y se está distribuyendo a los fabricantes de smartphones de gama alta en China. El chip está disponible en varias configuraciones de capacidad: 12 GB, 16 GB y 24 GB en forma de chip, y 16 GB y 32 GB en módulo LPCAMM.\n\nPara los ingenieros de sistemas y arquitectos de hardware, la cifra de producción por wafer es un indicador clave de coste y disponibilidad. Una mejora del 50 % implica una reducción sustancial de los costos de fabricación y una mayor capacidad para escalar la producción de dispositivos con memoria de alto rendimiento.\n\nLa adopción de la plataforma en los flagships chinos también sugiere que la arquitectura de la memoria está alineada con las especificaciones de los principales fabricantes de teléfonos, lo que facilita la integración y el soporte de software.
